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NTP5863N
TYPICAL PERFORMANCE CHARACTERISTICS
10
1 D = 0.5
0.2
0.1
0.1 0.05
0.02
0.01
0.01
Single Pulse
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
t, PULSE TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
ORDERING INFORMATION
NTP5863NG
Device
Package
TO ? 220AB
(Pb ? Free)
Shipping ?
50 Units / Rail
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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NTP5N60/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 600 Volts
NTP60N06 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP60N06/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps， 60 Volts
NTP60N06G 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP60N06G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
NTP60N06L 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTP60N06L/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps， 60 Volts， Logic Level